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　　摻釔氧化鋯(YSZ)單晶基片，氧化鋯單晶是ZrO2中摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結構，是最早應用于高溫超導薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機械和化學穩(wěn)定性好、成本低的特點。由于氧化鋯材料具有高硬度，高強度，高韌性，極高的耐磨性及耐化學腐蝕性等等優(yōu)良的物化性能，氧化鋯已經(jīng)在陶瓷、耐火材料、機械、電子、光學、航空航天、生物、化學等等各種領域獲得廣泛的應用。

摻釔氧化鋯(YSZ)單晶基片主要性能參數(shù)

晶體結構	立方
晶格常數(shù)	a=5.147 Å
熔點（℃）	2700
密度（g/cm3）	6.0
硬度	8-8.5（mohs）
純度	99.99%
熱膨脹系數(shù)（/℃）	10.3×10-6
介電常數(shù)	ε=27
生長方法	弧熔法
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度	0.5mm，1.0mm
拋光	單面或雙面
晶向	<001>±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
邊緣定向精度:	2°（特殊要求可達1°以內）
斜切晶片	可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包裝	100級潔凈袋，1000級超凈室