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長沙市啟睿新材料有限公司
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以 InAs 單晶為襯底可以生長 InAsSb/In-AsPSb,InNAsSb等異質結材料,制作波長 2~14μm的紅外發(fā)光器件,...
GaAs材料具有很高的電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙,消耗功率低的特性,廣泛應用與高頻及無線通訊,適合于制作IC器件,主要應用于光電子...
GaSb單晶由于其晶格常數與帶系在 0.8~4.3um寬光譜范圍內的各種三元和四元,III-V族化合物固熔體的晶格常數匹配,因為Ga...
磷化銦(InP)單晶基片材料作為最重要的化合物半導體材料之一,是生產光通訊中InP基激光二極管(LD),發(fā)光二極管(LED)和光探測...
鍺(Ge)基片用途:制作半導體器件,紅外光學器件,及太陽能電池襯底等材料。...
硅(Si)基片用途:用作半導體材料,大功率晶體管,整流器,太陽能電池等。 ...
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