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  我們提供的光電晶體包含以下幾種材料：

一、鈮酸鋰(LiNbO3)晶體

　　 鈮酸鋰晶體廣泛應用于光通信、信息處理、集成光路、圖象存儲、諧波發(fā)生、倍頻器件、參量振蕩、1064nm激光的倍頻，以及四倍頻相位匹配裝置等方面。如：SAW濾波器、Q-開關、電光調光器、參量振蕩器 ,摻有Mg:O的LN晶體，其抗損閾值比純LN晶體提高了一倍以上。

生長方法	提拉法
晶體結構	三方
晶格常數(shù)	a=b=5.148Å     c=13.863 Å
熔點（℃）	1250
居里溫度	1140℃
密度（g/cm3）	4.64
硬度	5（mohs）
光譜透過波長	0.4-2.9um
折射率	no=2.286 ne=2.203 （632.8nm）
非線性系數(shù)	d22 = 2.1 d31 = - 4.5 d33 = -0.27 （pmv-1）
電光系數(shù)	γ13=8.6，γ22=3.4，γ33=30.8，γ51=28.0，（pmv-1）
光學損壞閾	250 MW/cm2 @ 1064 nm, t ~ 10nsec.
光譜透過范圍  透過率	370～5000nm >68% （632.8nm）
熱膨脹系數(shù)	a11=15.4×10-6/k，a33=7.5×10-6/k
吸收損耗	@ 1064 nm < 0.1 %/cm
產品規(guī)格
尺寸	任何等于或小于Ø4″	表面質量	10/5
尺寸公差	Z軸： ±0.3mm X軸、Y軸：±0.1mm	平 面 度	v8 （632.8nm）
倒 角	小于0.5mm，45 º±5 º	鍍 膜	R<0.2%（1064nm）
晶向精度	Z軸： 5′ X、Y軸：<10′	波前畸變	<N4（633nm）
平 行 度	<10′	消 光 比	>400:1(633nm)φ6mm光束
包裝	100級潔凈袋，1000級超凈室

二、鉭酸鋰(LiTaO3)晶體

LiTaO3單晶具有非常好的電光、壓電和焦熱電性能，大量使用于焦熱電器件和彩色電視。

材料純度	>99.995%
晶體結構	斜六面體
晶格常數(shù)	a=5.154Å   c=13.783 Å
熔點（℃）	1650
居里溫度	610℃
密度	7.45（g/cm3）
硬度	5.5~6（mohs）
顏色	無色
折射率	no=2.176 ne=2.180 （633nm）
透過范圍	0.4～5.0mm
電阻系數(shù)	1015wm
界電常數(shù)	es11/eo:39~43 es33/eo:42~43 et11/eo:51~54 et33/eo:43~46
熱膨脹系數(shù)	aa=1.61×10-6/k，ac=4.1×10-6/k
標準產品
名稱	產品	方向	標準尺寸
LTB	晶體棒	X、Y、Z±1º	Ø2″×50mm Ø3″×50mm
LTW	外延拋光片 雙拋  Ra<10Å	X、Y、Z或Y旋轉帶或不帶定位邊	10×10×0.5mm Ø2″×0.5mm Ø3″×0.5mm Ø3″×1.0mm
包裝	100級潔凈袋，1000級超凈室

三、二氧化硅(SiO2)晶體

　　二氧化硅(SiO2)單晶水晶片是一種極好的基片，用于無線通訊工業(yè)的微波濾波器。

生長方法	水熱法
晶體結構	六方
晶格常數(shù)	a=4.914Å    c=5.405 Å
熔點（℃）	1610℃（相轉變點：573.1℃）
密度	2.684g/cm3
硬度	7（mohs）
熱熔	0.18cal/gm
熱導率	0.0033cal/cm℃
熱電常數(shù)	1200uv/℃（300℃）
折射率	1.544
熱膨脹系數(shù)	α11：13.71×106/ ℃ α33：7.48×106 /℃
Q值	1.8×106 min
聲速、聲表級	3160（m/sec）
頻率常數(shù)	1661（kHz/mm）
壓電偶合	K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
晶向	Y、X或Z切，在30º~42.75 º ±5分范圍內旋轉任意值  主定位邊：根據客戶要求定方向±30分  次定位邊：根據客戶要求定方向  籽 晶：位于中心，寬度<5mm，高度>66mm
拋光面	外延拋光：單拋或雙拋Ra<10Å 工作區(qū)域：基片直徑-3mm  彎 曲 度：Φ3″<20um，Φ4″<30um 工作區(qū)域無崩邊，在邊緣，崩邊寬度<0.5mm 坑和劃痕：每片<3，每100片<20
標準厚度	0.5mm±0.05mm TTV<5um
標準直徑	Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm  主定位邊：22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″) 次定位邊：10mm±1.5mm

四、二氧化鈦（TiO2）晶體

金紅石光學極二氧化鈦（TiO2）單晶 ，金紅石雙折射大，折射率大，是一種用于光譜棱鏡和偏振器件（如光隔離器和分束器）的很好材料，與YVO4相比，TiO2晶體物理化學穩(wěn)定性更好。

晶體結構	四方
生長方法	浮區(qū)法，熔點：1850℃
晶格常數(shù)	a=4.5936Å    c=2.9582 Å
密度	4.26（g/cm3）
硬度	7（mohs）
熱容	0.17（25℃）
常規(guī)晶向	<100>;<110>;<001>
折射率no	no=2.47 ne=2.73 at λ=1.3um
熱光系數(shù)	dη/dT：a：-0.72×106/k c：-0.42×10-6/k
線膨脹系數(shù)	a：7.14×106 c：9.19×106
晶棒	Φ25mm
尺寸	5×5×0.5mm、5×10×0.5mm、10×10×0.5mm 可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的基片
光學或拋光成品	尺寸公差：±0.05mm，晶向公差：±0.1 º
拋光	單面或雙面
包裝	100級潔凈袋，1000級超凈室

五、氧化碲（TeO2）晶體

　　T氧化碲（TeO2）晶體是一種具有高品質因數(shù)的聲光材料。有良好的雙折射和旋光性能，沿[110]方向傳播的聲速慢；若在相同通光孔徑下，用TeO2單晶制做的聲光器件的分辨率可有數(shù)量級的提高，響應速度快，驅動功率小，衍射效率高，性能穩(wěn)定可靠等優(yōu)點。
　　晶體的外形尺寸： 可提供沿任一方向生長尺寸最大為25x25x25mm的板狀，以及其他不同形狀圓、方、長條等特殊規(guī)格優(yōu)質TeO2大單晶。

密度（g/cm3）	6
熔點 （℃）	733
莫氏硬度 (Mohs)	4
顏色	透明/無色
透明波段（mm）	0.33-5.0
透光率@632.8nm	>70%
折射率 @632.8nm	ne =2.411   no= 2.258
熱導系數(shù)（mW/cm·℃）	30
聲速（km/sec）	0.617 for shear wave along <110>             4.26 for longitudinal wave along <001>
聲光品質因素（10-18 sec3/g）	1200 for shear mode along <110>              34.5for longitudinal mode along <001>

六、鈦酸鋇（BaTiO3）晶體

　　鈦酸鋇（BaTiO3）單晶具有優(yōu)異的光折變性能，具有高的自泵浦相位共軛反射率和二波混頻（光放大）效率，在光信息存儲方面有巨大的潛在應用前景；同時它也是重要的襯底基片材料。

晶體結構	四方Tetragona(4m):  13°C < T <132°C  a=3.99 ,c=4.04,(at 26°C)
密度	6.02（g/cm3）
熔點	1612℃
生長方法	TSSG (Top Seeded Solution Growth) 頂部籽晶法
介電常數(shù)	ea=3700 ec=135(自由狀態(tài))
	ea=2400 ec=60 (加持狀態(tài))
折射率		515nm		633nm		800nm
	no	2.4912		2.4160		2.3681
	no	2.4247		2.3630		2.3235
透過波長范圍	0.43-6.30mm
光電系數(shù)	r1T3=8±2pm/V  rT33=105±10pm/V  rT42=1300±100pm/V
自泵浦相位共軛反射率 （0度切）	50 - 70 % for l = 515nm(Ce: BaTiO3)
	40 - 60 % (PureBaTiO3) for l = 515nm
	50 - 80 % for l = 633nm(Ce: BaTiO3)
	40 - 60 % for l = 633nm (PureBaTiO3)
二波混頻耦合系數(shù)	10-40  cm-1
吸收損失	l: 515nm		633nm		800nm
	a: 0.285cm-1		0.108cm-1		0.033cm-1
晶向	<100>、<001>、<110>、<111>±0.5º
尺寸（mm）	10×10×1/0.5mm、10×5×1/0.5mm、5×5×1/0.5mm 可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
拋光	單面或雙面
表面粗糙度	Surface roughness(Ra):<=10 A 可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報告
包裝	100級潔凈袋，1000級超凈室