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我們提供的 半導(dǎo)體晶體包含以下幾種材料：

一、SOI 晶體材料

　　SOI是將一薄層硅置于絕緣襯底上?；赟OI結(jié)構(gòu)上的器件將在本質(zhì)上可以減小結(jié)電容和漏電流，提高開關(guān)速度，降低功耗，實(shí)現(xiàn)高速、低功耗運(yùn)行。

外形尺寸	4英寸；6英寸；8英寸
工藝	Smart cut; Bonding; SIMOX
類型	N/P
電阻率	可選
頂層單晶厚度	0.22～50μm
埋氧層	0.4～4μm
基底層厚度	100～500μm
TTV	<3μm
Particle	<10@0.3μm

二、砷化鎵（GaAs）晶體材料

摻雜：Si
導(dǎo)電類型：導(dǎo)電類型
生長方法：VGF(垂直梯度凝固法) HB(垂直布里奇曼法)
晶向：(100) 0°±0.5°，(100) 2°±0.5°off toward <111>A，(100)15°±0.5°off toward <111>A

尺寸：25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm，可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度：Surface roughness(Ra):<=5A，可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測(cè)報(bào)告

拋光：單面或雙面
包裝：100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室

 

三、氧化鋅（ZnO）晶體材料

晶體結(jié)構(gòu)	六方
晶格常數(shù)	a=3.252Å    c=5.313 Å
密度	5.7（g/cm3）
硬度	4（mohs）
熔點(diǎn)	1975℃
熱膨脹系數(shù)	6.5 x 10-6 /℃//a     3.7 x 10-6 /℃//c
熱 容	0.125 cal /g.m
熱電常數(shù)	1200 mv/k @ 300 ℃
熱 導(dǎo)	0.006 cal/cm/k
透過范圍	0.4-0.6 um > 50% at 2mm
晶向	<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º
尺寸（mm）	25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm 可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度	Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測(cè)報(bào)告
拋光	單面或雙面
包裝	100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室

四、碳化硅（SiC）晶體材料

主要應(yīng)用領(lǐng)域
1.高頻大功率電力電子器件? Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN    diodes 、IGBT
2.光電子器件：主要應(yīng)用于GaN/SiC 藍(lán)光LED的襯底材料（GaN/SiC）LED

生長方法	MOCVD
晶體結(jié)構(gòu)	六方
晶格常數(shù)	a=3.07 Å     c=15.117 Å
排列次序	ABCACB
方向	生長軸或 偏<0001> 3.5 º
帶隙	3.02 eV (間接)
硬度	9.2（mohs）
密度	3.21g/cm3
折射率	no=2.55   ne=2.59
熱傳導(dǎo)@300K	3 - 5 x 106W/ m
介電常數(shù)	e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸	10x10mm，15x15mm， 20x20mm，Dia50.8mm，Dia76.2mm，Dia102.4mm
厚度	厚度：0.35mm
拋光	單面或雙面
晶向	<001>±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
邊緣定向精度:	2°（特殊要求可達(dá)1°以內(nèi)）
斜切晶片	可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包裝	100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室

五、鍺（Ge）晶體材料

用途：制作半導(dǎo)體器件，紅外光學(xué)器件，及太陽能電池沉底等材料。

生長方法	提拉法
晶體結(jié)構(gòu)	立方
晶格常數(shù)	a=5.65754 Å
密 度	5.323g/cm3
熔點(diǎn)	937.4℃
摻雜物質(zhì)	不摻雜	摻Sb	摻Ga
類型	/	N	P
電阻率	＞35Ωcm	0.01~10Ωcm	0.01~10Ωcm
EPD	＜4×103∕cm2	＜4×103∕cm2	＜4×103∕cm2
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
	Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客戶要求劃片
厚度	0.5mm，1.0mm
拋光	單面或雙面
晶向	<100>、<110>、<111>、±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
邊緣定向精度:	2°（特殊要求可達(dá)1°以內(nèi)）
斜切晶片	可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包裝	100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室

六、硅（Si）晶體材料

用途：用作半導(dǎo)體材料，大功率晶體管，整流器，太陽能電池等。

晶體結(jié)構(gòu)	面心立方
熔點(diǎn)（℃）	1420
密度	2.4（g/cm3）
導(dǎo)電類型/摻雜物質(zhì)	I型非摻	P摻B	N摻P
電 阻 率	>1000Ωcm	10-3~104Ωcm	10-3~104Ωcm
E P D	≤100∕cm2	≤100∕cm2	≤100∕cm2
氧含量（∕cm3）	≤1~1.8×1018	≤1~1.8×1018	≤1~1.8×1018
碳含量（∕cm3）	≤5×1016	≤5×1016	≤5×1016
尺寸	10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm 可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的基片
厚度	0.3-0.5mm、1.0mm
尺寸公差	<±0.1mm
厚度公差	<±0.015mm特殊要求可達(dá)到<±0.005mm）
拋光	單面或雙面
晶面定向精度	±0.5°
邊緣定向精度	2°（特殊要求可達(dá)到1°以內(nèi)）
取向	<100>、<110>、<111>等
包裝	100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室