氧化鎂（MgO）單晶基片廣泛應(yīng)用在多個(gè)薄膜技術(shù)領(lǐng)域中。如用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等。由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2"及更大），所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。 可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。具有很大的現(xiàn)實(shí)及潛在應(yīng)用市場(chǎng)。
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生長(zhǎng)方法
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弧熔法
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晶體結(jié)構(gòu)
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立方
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晶格常數(shù)
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a=4.130 Å
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熔點(diǎn)（℃）
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2800
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純度
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99.95%
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密度（g/cm3）
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3.58
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硬度
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5.5（mohs）
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熱膨脹系數(shù)（/℃）
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11.2x10-6
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晶體解理面
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<100>
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光學(xué)透過(guò)
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>90%（200~400nm），>98%（500~1000nm）
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介電常數(shù)
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ε= 9.65
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熱導(dǎo)率（卡／度 厘米 秒）
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0.14 300°K
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尺寸
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10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
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厚度
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0.5mm，1.0mm
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拋光
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單面或雙面
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晶向
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<001>±0.5º
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晶面定向精度:
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±0.5°
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邊緣定向精度:
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2°（特殊要求可達(dá)1°以內(nèi)）
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斜切晶片
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可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
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Ra:
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≤5Å（5µm×5µm）
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主要特點(diǎn)
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由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英吋及更大），所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。
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主要用途
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用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等,也可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。
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包裝
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100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室
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